CZ পদ্ধতির বর্ণনায় বিবেচনাযোগ্য শব্দসমূহ: পদ্ধতি, ক্রিস্টাল, সিলিকন, ওয়েফার, উত্পাদন প্রধান, শিল্প সুবিধাসমূহ, অর্ধপরিবাহী, প্রযুক্তি অপরিহার্য, প্রক্রিয়া উপকরণ, নবায়নীয় প্রয়োজনীয়, উল্লেখযোগ্য অপরিহার্য দক্ষ জনপ্রিয় বৈপ্লবিক
সিলিকন ওয়েফার উত্পাদনে একটি মাইলফলক
প্রযুক্তি জগতে, সিলিকন ওয়েফার সকল ধরনের ইলেকট্রনিক ডিভাইস উৎপাদনে অপরিহার্য। স্মার্টফোন থেকে শুরু করে কম্পিউটার, সিলিকনের এই পাতলা টুকরোগুলি আমাদের দৈনন্দিন ডিভাইসগুলি চালিত করা মাইক্রোচিপ উৎপাদনে অত্যন্ত গুরুত্বপূর্ণ। কিন্তু কখনও কি ভেবে দেখেছেন: এই সিলিকন ওয়েফারগুলি কীভাবে তৈরি হয়? চঝোরালস্কি (CZ) পদ্ধতি লেজার ক্রিস্টাল বৃদ্ধি চুল্লী দেহ সিলিকন আর্টিফ্যাক্টগুলির উৎপাদন পদ্ধতি পরিবর্তন করে দেওয়া এমন বিপ্লবী পদ্ধতিগুলির মধ্যে একটি হল জোকারস্কি (সিজেড) পদ্ধতি।
সিজেড পদ্ধতি ব্যাখ্যা করা হয়েছে
সিজেড পদ্ধতি সিজেড (জোকারস্কি পদ্ধতি) কুন্দ হল ওয়েফারের জন্য সিলিকন ইঞ্জটগুলির আকারে একক স্ফটিক সিলিকন উত্পাদনের একটি পদ্ধতি। এর মধ্যে একটি ক্রুসিবলে অতিশুদ্ধ সিলিকন গলানো এবং তারপরে গলিত সিলিকন থেকে একটি বীজ ক্রিস্টাল সংগ্রহ করা হয়। এখন, যখন বীজ ক্রিস্টালটি প্রত্যাহার করা হয়, তখন এর চারপাশে অতিরিক্ত সিলিকন কঠিন হতে শুরু করে, অবশেষে একটি একক হয়ে যায় ক্রিস্টাল ইঞ্জট। তারপরে এই ইঞ্জটটি বিশেষ সরু দেয়াল কাটার সাহায্যে কেটে পাতলা ওয়েফারে কাটা হয়।
কেন সিজেড পদ্ধতি সিলিকন ওয়েফার উত্পাদন পরিবর্তন করেছে
সিজেড পদ্ধতির আগের দিনগুলোতে, সিলিকন ওয়েফার উত্পাদন ছিল এক কঠিন ও সময়সাপেক্ষ কাজ। ইলেকট্রনিক যন্ত্রপাতির জন্য প্রয়োজনীয় বৃহদাকার, ত্রুটিমুক্ত সিলিকন স্ফটিক উত্পাদন করা পারম্পরিক পদ্ধতিগুলির পক্ষে কঠিন ছিল। কিন্তু তারপর সিজেড পদ্ধতি সবকিছু বদলে দিল। এই প্রক্রিয়াটি উচ্চমানের একক স্ফটিক সিলিকন উত্পাদনে সহায়তা করে যার ফলে আরও বড় এবং সতর্ক ওয়েফার দ্রুত গতিতে তৈরি হয়।
সিলিকন ওয়েফার উত্পাদনের জন্য সিজেড পদ্ধতি কেন ব্যবহৃত হয়েছিল
সিলিকন ওয়েফার উত্পাদনের জন্য সিজেড পদ্ধতি তার অত্যধিক সুবিধার কারণে দ্রুত প্রধান পদ্ধতিতে পরিণত হয়েছে। এই পদ্ধতির অন্যতম প্রধান সুবিধা হল বৃহদাকার, উচ্চমানের ত্রুটিমুক্ত স্ফটিক উত্পাদনের সম্ভাবনা। অর্ধপরিবাহী শিল্পে এটি গুরুত্বপূর্ণ কারণ ইলেকট্রনিক যন্ত্রপাতির কার্যকারিতা নিশ্চিত করতে ন্যূনতম ত্রুটি প্রয়োজন। পারম্পরিক পদ্ধতির তুলনায় সিলিকন ওয়েফার তৈরির ক্ষেত্রে সিজেড পদ্ধতি দ্রুততর এবং সস্তাও।
অর্ধপরিবাহী বাজারে এর সুবিধাগুলির প্রধান বিষয়সমূহ
সিজেড পদ্ধতির একাধিক সুবিধা রয়েছে যা এটিকে অর্ধপরিবাহী শিল্পে সিলিকন ওয়েফার উত্পাদনের জন্য পছন্দসই প্রযুক্তি হিসেবে প্রতিষ্ঠিত করেছে। এর মুখ্য শক্তি হল এই পদ্ধতির মাধ্যমে বৃহৎ ব্যাসের ওয়েফার তৈরি করা যা থেকে দ্রুততর এবং অধিক ক্ষমতাসম্পন্ন মাইক্রোচিপ উৎপাদন করা হয়। অতিরিক্তভাবে, সিজেড পদ্ধতির মাধ্যমে সমবৃত্তাকার বৈশিষ্ট্যযুক্ত ওয়েফার তৈরি করা সম্ভব হয়, যা সকল ইলেকট্রনিক যন্ত্রপাতিতে একই মানের কার্যক্ষমতা প্রদান করে। একটি অতিরিক্ত সুবিধা হল যে এই প্রক্রিয়াটি আপেক্ষিকভাবে সংক্ষিপ্ত সময়ে এবং অর্থনৈতিকভাবে সম্পন্ন করা যায়, এবং এটি বিশ্বব্যাপী অর্ধপরিবাহী কোম্পানিগুলির জন্য প্রযোজ্য।