Ang silicon ay isang sobrang kapaki-pakinabang na materyales para sa paggawa ng mga electronic device tulad ng mga computer at cellphone. Bukod dito, ang single crystal silicon ay may mas kaunting problema dahil sa kanyang mataas na kalinisan. Alam mo ba kung paano ginagawa ang single crystal silicon? Panahon na upang kilalanin ang silicon crystal growth furnace.
Paano Ginagawa ang Single Crystal Silicon?
Gumamit ng SMG sa isang silicon crystal growth furnace. Ang furnace na ito ay isang malaking oven at maaaring sobrang mainit. Sa loob ng furnace ay may isang espesyal na lalagyan kung saan tinutunaw ang silicon. Isang maliit na seed crystal ay ibinababad sa tinunaw na silicon kapag ito ay natunaw. Ang mga lumalaking silicon crystals ay nananatiling maayos sa paligid ng seed crystal na ito, at sa huli ay nabubuo ang isang kristal lamang.
Ang taong makapagtutubo ng silicon crystal ay makakagawa ng microprocessor.
Ang growth furnace para sa mga silicon crystal, na tinatawag na Czochralski method, ay ginagamit upang palakihin ang single crystal silicon. Ang teknik na ito ay nangangailangan lamang ng mabuting kontrol sa temperatura ng furnace at sa bilis kung saan inaalis ang seed crystal mula sa tinunaw na silicon. Ang pagbabago sa mga salik na ito ay nagpapahintulot sa amin na makagawa ng high-quality na single crystal silicon na angkop para gamitin sa electronics.
Paano gumawa ng High-Quality Single Crystal Silicon
Ang furnace para palakihin ang silicon crystals ay pinapainit.
Nagtatunaw ang furnace sa silicon material at nagbubuo nito sa anyong likidong silicon.
Isang seed crystal ay dahan-dahang ipinapasok sa likidong silicon.
Pagkatapos, ang seed crystal ay dahan-dahang inaalis mula sa likidong silicon upang ang mga bagong silicon crystals ay lumaki sa isang tiyak na direksyon.
Dahan-dahang pinapalamig ang single crystal silicon at inaalis ito sa furnace.